양산 설비 첫 도입하기로…HBM4 코어 다이로 채용
삼성전자가 '1c D'램 양산 투자를 시작한다. 최근 관련 협력사에 제조설비를 발주해, 내년 2월께 설치 작업에 돌입할 것으로 파악됐다.
1c D램이 삼성전자의 차세대 HBM4 경쟁력을 좌우할 핵심 요소인 만큼, 제품을 적기에 양산하기 위한 준비에 나서는 것으로 보인다.
9일 업계에 따르면 삼성전자는 최근 평택 제4캠퍼스(P4)에 1c D램용 양산라인을 구축하기 위한 장비 발주를 시작했다.
1c D램은 6세대 10나노급 D램이다. 회로 선폭은 11~12나노미터(nm) 수준이다. 현재 상용화된 가장 최신 세대인 1b(5세대) D램보다 한 세대 앞선 제품으로, 내년부터 본격적인 상용화에 이를 것으로 예상된다.
때문에 그동안 삼성전자도 1c D램 개발에 주력해 왔다. 지난 3분기에는 처음으로 1c D램의 '굿 다이'(Good die; 정상적으로 작동하는 칩)를 확보하는 등 가시적인 성과도 얻었다.
나아가 삼성전자는 1c D램을 본격 양산하기 위한 준비에 나섰다. 최근 P4 내 신규 D램 라인에 1c D램 양산용 설비투자를 진행한 것으로 파악됐다. 그간 1c D램은 파일럿(시생산) 라인에서만 제조돼 왔다.
이에 따라 램리서치 등 주요 장비업체의 설비가 내년 1분기부터 반입될 예정이다. 당장의 투자 규모는 전체 D램 생산량 대비 그리 크지 않은 수준으로 추산된다. 다만 삼성전자 안팎에서는 추가 투자에 대한 논의도 진행되고 있는 것으로 알려졌다.
반도체 업계 관계자는 "삼성전자가 내년 2월경 1c D램 양산용 설비 도입을 시작할 것으로 안다"며 "추가 투자는 1c D램의 수율 안정화가 어느 정도 이뤄진 후에 나오게 될 것"이라고 설명했다.
삼성전자의 1c D램은 차세대 HBM(고대역폭메모리)인 HBM4(6세대 HBM) 공급 경쟁에서도 큰 의미를 가진다.
삼성전자는 5세대 HBM인 HBM3E까지 1a(4세대) D램을 채용했으나, HBM4에서는 1c D램을 활용할 계획이다. 주요 경쟁사인 SK하이닉스, 마이크론은 HBM3E에 이어 HBM4에서도 1b D램을 유지한다.
HBM은 여러 개의 D램을 수직으로 적층한 메모리다. 때문에 코어 다이인 D램의 성능이 HBM의 성능에 큰 영향을 미친다. 삼성전자가 HBM4에 1c D램을 성공적으로 적용하는 경우, 차세대 HBM 시장에서 주도권을 회복할 수 있다는 기대감이 나오는 이유도 여기에 있다.
다만 삼성전자가 1c D램 및 HBM4를 성공적으로 양산할 수 있을 지는 아직 판단하기 어렵다. 삼성전자가 1c D램 개발에 총력을 기울이고는 있으나, 아직 안정적인 수율을 구현하지는 못했기 때문이다.
또 다른 관계자는 "삼성전자가 내년 하반기 HBM4 양산을 목표로 둔 만큼 이를 위한 설비투자를 진행하는 것으로 보인다"며 "관건은 D램 및 HBM의 수율을 얼마나 빠르게 향상시킬 수 있는가가 될 것"이라고 말했다.
