SK하이닉스가 세계 최초로 10나노미터(㎚·10억분의 1m)대 초반의 6세대(1c) 미세공정을 적용한 16기가비트(Gb) DDR5 D램을 개발했다. 성능이 입증된 5세대(1b) D램 플랫폼을 확장하는 방식으로 기술 한계를 가장 먼저 돌파했다.
SK하이닉스는 연내 1c DDR5 D램 양산 준비를 마치고 내년부터 제품을 양산 공급할 계획이라고 29일 밝혔다.
회사는 1b D램의 공정을 고도화하는 방식으로 1c D램을 개발했다. D램은 수백개 공정을 거쳐 만들어지는데 공정 변화를 최소화한 것이다. 이는 1b D램의 강점을 가장 효율적으로 1c로 옮기고, 큰 공정 변화에 따라 발생할 수 있는 시행착오를 줄여 개발의 속도를 내기 위한 결정이다.
극자외선(EUV) 특정 공정에 신소재를 개발·적용하고, 전체 공정 중 EUV 적용 공정을 최적화해 원가 경쟁력도 확보했다. 설계 기술 혁신도 병행해 이전 세대인 1b 대비 생산성을 30% 이상 높였다.
1c D램은 주로 데이터센터에 활용될 전망이다. 동작속도는 8Gbps(초당 8GB)로 이전 세대 대비 11% 빨라졌고 또 전력효율은 9% 이상 개선됐다. 인공지능(AI) 시대가 본격화되면서 데이터센터 전력 소비량이 늘어나는 가운데, 1c D램을 데이터센터에 적용하면 전 세대 대비 전력 비용을 최대 30%까지 줄일 수 있다고 회사는 설명했다.
향후 수율이 높아지면 고대역메모리(HBM)에도 적용될 수 있다. HBM은 D램을 수직으로 적층해 데이터 전송을 위한 대역폭을 높인 제품이다. SK하이닉스는 7세대 HBM4E부터 1c D램 기반으로 생산할 예정이라고 알려졌다.
김종환 SK하이닉스 DRAM개발담당(부사장)은 “최고의 성능과 원가 경쟁력을 동시에 충족시킨 1c 기술을 차세대 HBM, LPDDR6(저전력 D램), GDDR7(그래픽 D램) 등 최첨단 D램 주력 제품군에 적용하면서 고객에게 차별화된 가치를 제공할 것”이라고 말했다.
